El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un componente utilizado cada vez mas en aplicaciones automotrices en el cual la conmutación de altas corrientes es un requisito importante, este tipo de transistores aprovechan la ventaja de un transistor MOSFET y un transistor BJT (Bipolar).
En el caso de la excitación de este transistor se utiliza una compuerta aislada tipo MOSFET con lo cual se controla la conmutación por voltaje, y no por corriente llevando esto mucha eficiencia a la llave electrónica.
En el caso de la llave electrónica se usa un transistor BIPOPOLAR con lo que se gana conmutación sin el valor de resistencia descripto en los transistores Mosfet.
Este valor de resistencia presentaría un aumento en la caída de tensión a medida que aumente la corriente ,mientras que en un Bipolar la caída de tensión es constante independiente de cuanta corriente conmute así que se vuelve en una unión perfecta de dos tipos de transistores en un solo encapsulado.
Como se trata de una activación por medio de un Mosfet se tendrá Gate en la excitación, y como se tiene un bipolar en la llave electrónica ahí se tendrá Colector para la fuente y Emisor para el circuito a conmutar, en la grafica se puede apreciar este arreglo.
Los circuitos de encendido suelen llevar en la actualidad este tipo de transistores para disparar bobinas.
Los parametros principales a la hora de seleccionar un transistor IGBT, muchas veces como reemplazo son los siguientes:
Se debe cuidar tambien la seleccion del tipo de cápasula y voltaje de excitación el el GATE. Normlmente debe ser un poco inferior a 5 voltios para aplicaciones automotrices.
Algunos transistores para utilizar en ECUS como reemplazo y que se ajustan perfectamente para disparar bobinas de encendido son:
